Photovoltaic converter (variants) and solar battery based thereon

Convertisseur photovoltaïque (variantes) et batterie solaire à base d'un tel convertisseur

Abstract

La présente invention concerne un convertisseur photovoltaïque (PhVC) comprenant au moins une cellule photovoltaïque, chacune d'entre elles présentant en série une couche diélectrique transparente, une couche semiconductrice à jonction p-n ou n-p , et un substrat diélectrique transparent, les indices de réfraction respectifs étant n 1 , n 2 , n 3 ; et au moins 2f paires d'électrodes de contact discrètes (+) et (-) connectées aux régions p- et n- de chaque couche semiconductrice, f étant le nombre de cellules photovoltaïques dans le PhVC. Dans le premier mode de réalisation du PhVC, les indices de réfraction sont conformes à n 2 <n 1 et n 2 <n 3 , ou n 2 >n 1 et n 2 <n 3 , et l'épaisseur de la couche semiconductrice est un multiple de la valeur kλ/(2n 2 ) . Dans le deuxième mode de réalisation du PhVC, les indices de réfraction sont conformes à n 1 < n 2 < n 3 ou n 1 > n 2 >n 3 , et l'épaisseur de la couche semiconductrice est égale à λ/(4n 2 )+mλ/(2n 2 ). Ici, λ est la longueur d'onde moyenne dans la sous-bande choisie du spectre solaire, k vaut 1 ou 2, etc., m vaut 0, 1, 2, etc. Le troisième mode de réalisation du PhVC est une combinaison du premier et du deuxième mode de réalisation. La batterie solaire contient au moins un PhVC à au moins deux jonctions et des collecteurs de courant auxquels lesdites électrodes de contact discrètes sont connectées en parallèle.
Photovoltaic converter (PhVC) comprising at least one photovoltaic cell, each of which has placed in series transparent dielectric layer, semiconductor layer having p-n or n-p junction, and transparent dielectric substrate, those refraction indexes are respectively n 1 , n 2 , n 3 ; and at least 2f pairs of (+) and (-) discrete contact electrodes, connected to the p- and n- regions of each semiconductor layer, where f is number of the photovoltaic cells in the PhVC. In first PhVC's embodiment said refraction indexes are conformed to the pair of inequalities either n 2 <n 1 and n 2 <n 3 , or n 2 >n 1 and n 2 <n 3 , and thickness of semiconductor layer is multiple to the value kλ/(2n 2 ) . In the second PhVC's embodiment refraction indexes are conformed to the pair of inequalities either n 1 , n 2 , n 3 or n 1 , n 2 , n 3 , and thickness of semiconductor layer is equal to the value λ/(4/n 2 )+mλ/(2n 2 ). Here λ is average wavelength within selected sub-band of the solar spectrum, k is 1, 2, etc., m is 0, 1, 2, etc. Third PhVC's embodiment is combination of two said embodiments. SOLAR BATTERY contains at least one at least two-junction PhVC and current collectors, to which said discrete contact electrodes are connected in parallel.

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