Appareil et procédés pour le dépôt de couches minces de carbure de silicium et de carbonitrure de silicium

Apparatus and methods for deposition of silicon carbide and silicon carbonitride films

Abstract

La présente invention concerne des procédés pour le dépôt de couches minces de carbure de silicium sur la surface d'un substrat. Les procédés comprennent l'utilisation de précurseurs de carbosilane en phase gazeuse et peuvent utiliser des procédés de dépôt de couche atomique activé par plasma. Les procédés peuvent être réalisés à des températures inférieures à 600 °C, par exemple entre environ 23 °C et environ 200 °C ou à environ 100 °C. Cette couche de carbure de silicium peut ensuite être densifiée pour éliminer la teneur en hydrogène. De plus, la couche de carbure de silicium peut être exposée à une source d'azote pour produire des groupes N-H réactifs, qui peuvent ensuite être utilisés pour continuer le dépôt de couche mince en utilisant d'autres procédés. Les conditions de traitement par plasma peuvent être utilisées pour ajuster la teneur en carbone, en hydrogène et/ou en azote des couches minces.
Methods for deposition of silicon carbide films on a substrate surface are provided. The methods include the use of vapor phase carbosilane precursors and may employ plasma enhanced atomic layer deposition processes. The methods may be carried out at temperatures less than 600° C, for example between about 23° C and about 200° C or at about 100° C. This silicon carbide layer may then be densified to remove hydrogen content. Additionally, the silicon carbide layer may be exposed to a nitrogen source to provide reactive N-H groups, which can then be used to continue film deposition using other methods. Plasma processing conditions can be used to adjust the carbon, hydrogen and/or nitrogen content of the films.

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